图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BSS225 |
| 文档 |
Multiple Devices 28/Mar/2008 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 90mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 45 Ohm @ 90mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.3V @ 94µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 5.8nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 131pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-243AA |
| 供应商器件封装 | PG-SOT89-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 1W |
| 匹配代码 | BSS225 |
| 包装 | SOT89 |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 100 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| 极化 | N-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 0.09A |
| V（ DS ） | 600V |
| R（ DS上） | 45Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 90mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.3V @ 94µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT89-4 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 45 Ohm @ 90mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 131pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 5.8nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 类别 | Small Signal |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Dual Drain |
| 外形尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 4.5mm |
| 最大连续漏极电流 | 0.09 A |
| 最大漏源电阻 | 45 Ω |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | SOT-89 |
| 引脚数 | 4 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 3.9 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 99 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns |
| 典型导通延迟时间 | 14 ns |
| 宽度 | 2.5mm |
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